300 студентов получат именные стипендии Владимира Потанина

20 февраля 2014 года Экспертный совет подвел итоги студенческого конкурса Стипендиальной программы Владимира Потанина. По итогам двух туров определены имена  300 победителей.

– Мы рады, что новый формат Стипендиальной программы сразу получил общественное признание,– отметила генеральный директор Благотворительного фонда Владимира Потанина Лариса Зелькова. – И в этом году сохранился традиционный для образовательных программ фонда высокий конкурс – на одну стипендию претендовало  10 человек. Экспертному совету пришлось делать нелегкий выбор, и победителями стали действительно самые достойные. Победителей конкурса отличает многообразие профессиональных и образовательных планов.  Однако всех их объединяет «потанинский дух» - готовность действовать, предлагать идеи, двигаться вперед независимо от сферы, которую для себя выбрали. Особенно приятно, что среди победителей Стипендиального конкурса более 30% - это стипендиаты прошлых лет.

Наука и жизнь // Иллюстрации

Всех стипендиатов объединяет общее качество – активная жизненная позиция: 90% имеют опыт участия в студенческом самоуправлении, волонтерской и общественной деятельности. Они также демонстрируют постоянное стремление к саморазвитию (у 68%, помимо основного, есть дополнительное  образование), а также ответственный подход к выбору будущей профессии – больше половины из них (59%) не только учат-ся, но и работают. Большинству победителей (63%) от 23 до 25 лет По сравнению с конкурсом прошлого года, значительно выросло число стипендиатов старше 25 лет.  

Больше всего победителей конкурса (19 человек) учатся в Санкт-Петербургском государственном университете, далее следует Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (18 человек). Третье место по количеству стипендиатов (по 13 человек) конкурса разделили Национальный исследовательский Томский политехнический университет и Уральский федеральный университет.

Победители будут получать ежемесячную стипендию Благотворительного фонда Владимира Потанина в размере 15 000 рублей в месяц, начиная со второго семестра учебного года и до окончания обучения в магистратуре. Стипендиаты также примут участие в Школе фонда, где смогут представить волонтерский проект (в том числе, разработанный совместно с преподавателями – победителями Грантового конкурса Фонда) и выиграть грант на его реализацию.    


СПРАВКА:

Благотворительный фонд Владимира Потанина – один из первых частных фондов в России, создан в 1999 г. для реализации программ в сфере образования и культуры. Основная задача – содействовать становлению активных творческих профессионалов и развитию благотворительности в России. Фонд проводит долгосрочные стипендиальные и грантовые программы, адресованные талантливым студентам и преподавателям вузов России, музейным специалистам, профессионалам спортивной отрасли, специалистам по созданию и развитию эндаументов.


Стипендиальная программа Владимира Потанина -  самый крупный проект Благотворительного фонда В.Потанина, существующий с 2000 года. В 2013/14 учебном году ее формат был обновлен. Если ранее стипендиатами фонда становились студенты-отличники государственных вузов России, то теперь программа адресована студентам-магистрантам и преподавателям магистратуры. Программа продолжает сложившуюся традицию поддержки активной молодежи, а также ставит более масштабные цели: содействовать изменению образовательной среды, ориентировать ее на поддержку знания, профессионализма, творчества и добровольчества. Программа включает в себя Стипендиальный конкурс для студентов, обучающихся в магистратуре, Грантовый конкурс для преподавателей магистратуры, а также Школу фонда для студентов и преподавателей - победителей конкурсов.

Дополнительную информацию можно получить по тел.+7 (495) 726 5764 или info@fondpotanin.ru.  


Портал журнала «Наука и жизнь» использует файлы cookie и рекомендательные технологии. Продолжая пользоваться порталом, вы соглашаетесь с хранением и использованием порталом и партнёрскими сайтами файлов cookie и рекомендательных технологий на вашем устройстве. Подробнее