Портал создан при поддержке Федерального агентства по печати и массовым коммуникациям.

Сердце люминесцентной лампы

Кандидат технических наук Виктор Эннс.

Озаботившись экономией электроэнергии, покупатели всё чаще обращают внимание на светодиодные источники света (см. «Наука и жизнь» № 7, 2010 г.). Однако значительную долю рынка энергосберегающих ламп уже успели завоевать компактные люминесцентные лампы, производители которых убеждены: эти лампы будут светить ещё многие годы. Их долголетие — как рыночного сегмента, так и каждой лампы в отдельности — должна обеспечить современная микроэлектроника.

На первый взгляд среди энергосберегающих ламп наиболее перспективными кажутся светодиодные. Поэтому энергосберегающие лампы другого типа — компактные люминесцентные (КЛЛ или CFL — compact fluorescent lamp) — оказались как бы на втором месте. На то есть причины. Во-первых, компактные люминесцентные лампы проигрывают светодиодным по светоотдаче и сроку службы. Светоотдача у них в пять раз выше, чем у ламп накаливания, в то время как у светодиодных ламп — в семь раз. Типовой декларируемый срок службы КЛЛ — десять тысяч часов непрерывной работы, а светодиодных ламп — тридцать тысяч часов...

Обеспечим библиотеки России научными изданиями!

Купить PDF
Журнал добавлен в корзину.
Оформить заказ


Случайная статья


Другие статьи из рубрики «Новые технологии»

Детальное описание иллюстрации

Высоковольтная кремниевая технология. На схеме: поперечное сечение кремниевой пластины. На ней располагается несколько тысяч кристаллов. Создание подобной технологии — задача для профессионала высокого класса: технологический маршрут может включать более 100 процессов, кроме того, требуется получить необходимые характеристики приборов (например, в электронном балласте силовые транзисторы должны выдерживать напряжение не менее 500 вольт и иметь в открытом состоянии сопротивление всего в несколько ом). На иллюстрации видно, что высоковольтные транзисторы располагаются в специальном кармане, который отделён от низковольтных транзисторов и сенсорных элементов. Силовые транзисторы размещены с края кристалла.