[QUOTE]eLectric пишет:
какова мощность сигнала, который нам тут придётся ловить?[/QUOTE]

Маломощный передатчик => никакого фидбека (feedback) не будет  Даже если и долетит, то никакой информации о том, что там есть, не получим :)  :)  :)

[B]Состоялись первые испытания доски, на которой можно летать стоя[/B]

Спортсмен Фрэнк Запата протестировал свое новое изобретение — летающую доску Flyboard Air. С ее помощью можно подниматься на высоту до трех тысяч метров, сообщается на официальном сайте команды создателей.

[B]Тестируют профессионалы[/B]
Команда экстремалов Zapata Racing стала известна благодаря своим водным ховербордам, которые с помощью мощного напора воды могли поднимать катающегося в воздух.
Новая разработка уже не связана с водяными насосами и осваивает иное управление. В летающую доску встроен турбореактивный двигатель, который может парить на высоте до трех тысяч метров.

[B]Ограничения[/B]
Максимальное время полета пока ограничено – не более десяти минут. А скорость может достигать 150 км/ч.

На настоящий момент разработка остается только на стадии прототипа. Ее даже тестировали над водной поверхностью, чтобы испытатель не разбился при неожиданном падении.

В продажу такая летающая доска поступит не раньше 2017 года.


https://hi-tech.mail.ru/news/fluboard-air-first-test/

:)  :)  :)

[QUOTE]ecoil пишет:
АВТО-СУПЕР будет лучше по проходимости. Так задумано, и никаких препятствий теоретически нет.[/QUOTE]
Тоже замечательно!!!  
:)  :)  :)

[B]В России создадут революционную память – гибрид ОЗУ, флешки и винчестера[/B]

Революционную технологию создания памяти разработали ученые Московского физико-технического института (МФТИ). Специалисты утверждают, что она будет обладать вместительностью винчестера, энергонезависимостью флешки и быстротой работы оперативной памяти, сообщает пресс-служба института.

[B]Сегнетоэлектрики и туннельные переходы[/B]

Сегнетоэлектрики – вещества, которые способны сохранять направление внешнего электрического поля, которое к ним прикладывается. Электрический ток сегнетоэлектрики не проводят.

Туннельный эффект имеет квантовую природу и предполагает, что при очень малой толщине слоя сегнетоэлектрика электроны с определенной вероятностью могут проходить сквозь него. Если на электроды, которые примыкают к тонкому слою сегнетоэлектрика, подать напряжение, то можно записать данные в память. Считывание же выполняется путем измерения туннельного тока.

[IMG]http://s019.radikal.ru/i616/1604/59/0c661fec55d8.jpg[/IMG]

[B]Нанотехнологии в действии[/B]

В основе памяти нового типа – сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния. Он использовался в создании микросхем и ранее, но сегнетоэлектрические свойства одной из модификаций материала были открыты всего несколько лет назад.
Толщина туннельно-прозрачных пленок – всего 2,5 нм. Выращены они были на кремниевой подложке с применением методики, которая используется в производстве микропроцессоров, при поддержке специалистов из Университета Лозанны (Швейцария) и Университета Небраски (США).

Ведущий автор исследования, заведующий лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ Андрей Зенкевич заявляет, что структуры на основе оксида гафния совместимы с кремниевой технологией. Это означает, что новая энергонезависимая память на базе российской разработки будет создана в ближайшем будущем.

[IMG]http://s020.radikal.ru/i713/1604/20/97721810fa29.jpg[/IMG]

[B]Преимущества новой памяти[/B]

Разработчики подчеркивают, что память на основе сегнетоэлектрических туннельных переходов будет обладать крайне высокой скоростью чтения и записи, большой плотностью хранения информации и сниженным энергопотреблением. Фактически она сможет заменить используемую сегодня оперативную память, в которой данные без перезаписи могут храниться не более 0,1 с, при этом информация сможет храниться сколь угодно долго.

Источник статьи: [URL=https://hi-tech.mail.ru/news/mfti-memory/]Mail.ru[/URL]

:)  :)  :)