Экситонная жидкость на блюдечке

Сергей Транковский. По материалам АНИ «ФИАН-информ»

Так возникает излучение из запрещённой зоны между двумя полупроводниками. Кристалл с избытком отрицательно заряженных электронов n соединяют с полупроводником, где их недостаток.

В Лаборатории низкоразмерных систем и структур Физического института им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН) впервые получили двумерную электронно–дырочную жидкость и подробно изучили её свойства. Изощрённая экспериментальная техника позволила создать это искусственное вещество, которое, как надеются исследователи, найдёт применение в квантовых устройствах недалёкого будущего. Объектом исследования стала гетероструктура на основе германия и кремния.

Физика твёрдого тела основана на зонной теории, согласно которой энергетический спектр вещества состоит из зон разрешённых энергий, разделённых запрещёнными зонами. Их ширина и взаимное расположение создают из твёрдого тела либо диэлектрики (изоляторы), либо металлы (проводники), либо полупроводники, которые, в свою очередь, разделяются по размерам запрещённой зоны на узко- и широкозонные...

Продолжение статьи читайте в номере журнала

Журнал добавлен в корзину.
Оформить заказ
Детальное описание иллюстрации

Так возникает излучение из запрещённой зоны между двумя полупроводниками. Кристалл с избытком отрицательно заряженных электронов n соединяют с полупроводником, где их недостаток. На месте недостающих электронов возникают дырки p, которые можно считать квазичастицами с отрицательной массой и положительным зарядом. Электрическое напряжение, приложенное к этой паре полупроводиков (чипов), заставляет электроны и дырки двигаться навстречу друг другу. В зоне p–n-перехода происходит их рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей заряда противоположных знаков. Электрон теряет энергию и занимает место дырки. Энергия, по величине равная ширине запрещённой зоны, выделяется в виде электромагнитного излучения.
Портал журнала «Наука и жизнь» использует файлы cookie и рекомендательные технологии. Продолжая пользоваться порталом, вы соглашаетесь с хранением и использованием порталом и партнёрскими сайтами файлов cookie и рекомендательных технологий на вашем устройстве. Подробнее