АЛМАЗНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Кандидат химических наук Татьяна ЗИМИНА. По материалам ФИАН-информ.

Основу электродов планарной линейки, предназначенной для детектирования ультрафиолетового и рентгеновского излучения, составляет тонкий графитизированный слой, сформированный в алмазе на глубине 0,5 мкм (зелёная интерференционная окраска).

Сотрудники Физического института им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН) разработали способ получения тончайших графитизированных слоёв в алмазе. Эта разработка открывает реальную перспективу создания элементов электроники и оптоэлектроники на основе алмазов.

До сих пор основные материалы электроники — это кремний, германий, арсенид галлия и т.п. Одним из перспективных «электронных» материалов может стать и алмаз. Его преимущества — способность работать в жёстких условиях эксплуатации: при высоких температуре и уровне радиации, в агрессивных химических средах...

Продолжение статьи читайте в номере журнала

Журнал добавлен в корзину.
Оформить заказ
Портал журнала «Наука и жизнь» использует файлы cookie и рекомендательные технологии. Продолжая пользоваться порталом, вы соглашаетесь с хранением и использованием порталом и партнёрскими сайтами файлов cookie и рекомендательных технологий на вашем устройстве. Подробнее